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當前位置:首頁產品展示光學儀器埃賽力達美國埃賽力達1064nm長波長增強型硅APD

美國埃賽力達1064nm長波長增強型硅APD
產品簡介:

美國埃賽力達1064nm長波長增強型硅APD使用雙擴散“穿通"結構制作了1064nm長波長增強型硅APD(C30954 EH、C30955EH和C30956EH)。這些光電二極管的設計增強了它們的長波響應(即>900nm),并且沒有產生任何不良影響

產品型號:

更新時間:2026-03-25

廠商性質:代理商

訪 問 量 :132

服務熱線

028-68749778

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品牌Excelitas/加拿大價格區間面議
照射方式外照式光源種類其他光源
應用領域綜合

美國埃賽力達1064nm長波長增強型硅APD

美國埃賽力達1064nm長波長增強型硅APD

美國埃賽力達1064nm長波長增強型硅APD

C30954EH長波長增強型硅雪崩光電二極管(Si APD)提供0.8 mm的感光面直徑和在1060 nm處的高量子效率。采用TO-5封裝設計,這種Si APD使用雙擴散“穿透式"結構制成。其>900 nm的長波響應經過了增強,不會產生任何不良影響。

C30956EH大面積、長波長、增強型硅雪崩光電二極管(Si APD)提供3 mm感光面直徑,在1060 nm具有高量子效率。這種Si APD采用TO-8封裝設計,使用雙擴散“穿透式"結構制成。其>900 nm的長波長響應經過了增強,不會產生任何不良影響。

功能與優點:


0.8mm感光直徑

1060 nm波長處具有高量子效率

快速響應時間

較寬的工作溫度范圍

低結電容

氣密封裝

符合RoHS標準

提供TEC選項


應用領域:


測距

LiDAR

YAG激光探測


感光面積:0.5 mm2

感光直徑:0.8 mm

擊穿電壓: >300, 375, <475 V

電容:2pF

暗電流:50nA

增益:120

噪聲電流:1 pA/√Hz

封裝:TO-5

峰值靈敏度波長:900 nm

響應度:

在900 nm處為75 A/W

在1050 nm處為36 A/W

在1150 nm為5 A/W

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