日本OTSUKA大塚西南代理膜厚測量系統GS-300

日本OTSUKA大塚西南代理膜厚測量系統GS-300

日本OTSUKA大塚電子GS-300晶圓在線膜厚測量系統，是面向半導體優良制程推出的量產級非接觸式膜厚檢測旗艦設備，專為300mm及以下尺寸晶圓的成膜后全幅面膜厚分布在線檢測場景設計，依托大塚深耕光學干涉領域的核心技術積累，實現晶圓全表面膜厚的高精度、高速度全域掃描，打通成膜工藝的實時數據閉環。

該系統采用大塚自研的非接觸式光譜干涉檢測架構，通過采集薄膜上下界面的反射干涉光譜，結合多維度解析算法，無需接觸晶圓表面即可完成無損測厚，避免傳統接觸式檢測可能造成的晶圓劃傷、膜層破損風險。它的核心測量能力覆蓋1nm~35μm的寬量程區間，既可以精準檢測晶圓表面的氧化膜、氮化膜、光刻膠等納米級超薄薄膜，也能適配厚膠層、鈍化膜等微米級涂層的檢測需求，測量重復精度穩定控制在0.2nm以內，哪怕是晶圓邊緣微米級的厚度波動也能被精準捕捉。

GS-300搭載高精度自動XY位移平臺，支持300mm全尺寸晶圓的全域自動掃描，可一鍵生成晶圓全表面的膜厚分布云圖，自動統計面內厚度均勻性、極值偏差等核心參數，無需人工后續整理數據。系統適配半導體產線的集成需求，可直接對接EFEM晶圓傳輸單元，實現晶圓自動上下料、自動對位、自動測量的全流程無人化運行，單晶圓全幅面檢測效率遠高于傳統離線抽檢模式，匹配半導體產線的高吞吐量生產要求。

設備的抗干擾設計適配潔凈車間的復雜工況，搭載環境振動補償、雜散光抑制機制，可在24小時不間斷運行的量產環境下長期穩定工作，檢測數據可直接上傳至產線MES系統，為成膜工藝的參數優化提供完整的面域數據支撐，幫助企業快速定位膜厚不均的工藝問題，將晶圓成膜良率提升10%以上。除了常規半導體薄膜檢測，它還可適配TSV埋入結構晶圓研磨后的硅層厚度檢測，覆蓋晶圓制造的多個核心制程環節。